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입문용 가성비 여자 골프백 추천 Top 10 입문용 가성비 여자 골프백 추천 Top 10 불과 몇 년 전까지만 해도 골프라는 건 어른들의 비싼 운동이고 비즈니스를 위한, 비지니스를 위한 스포츠였는데 이제는 중장년층 외에 젊은 세대, MZ세대까지 모든 세대가 즐기는 스포츠가 되었어요 그만큼 새로 입문하시는 분들이 많을텐데요, 처음에는 가볍게 배우다가 점점 흥미를 붙이면서 골프채, 골프장갑, 골프가방 등 장비가 중요하기 시작했어요! 하지만 막 입문단계의 골린이들에게는 박인비, 타이거우즈, 박세리가 사용하는 하이엔드급이 필요할까요? 적당히 필요에 맞게 사용하면서도 기본기에 충실한, 스타일리쉬한 입문용 여성용 골프백을 추천드려요! 입문용 여자 골프백을 고르는 팁 초보가 골프백을 선택할 때 꼭 따져봐야 하는 것들을 모아봤어요! 개인적인 선호도와 함께 잘 확.. 더보기
MOS CAP의 역전 상태는? 이번 게시글에서는 MOS CAPACITOR의 Strong Inversion에 대해서 포스팅하려고 합니다. 1. Strong Inversion이란? Strong Inversion Condition은 표면에 축적된 Minority Carrier가 기판에 Doping된 dophant의 농도보다 더 많아진 상태입니다. N+Gate와 P-Type 기판을 기준으로 수식적으로 표현하게 된다면 "ns(Electron on Surface) >> Na(Doped acceptor)"인 상태를 Strong inversion이라고 합니다. 2. 어떻게 확인할 수 있나? Energy Band Diagram의 경우 Strong Inversion, 일반적으로 Inversion Conditino은 Threshold Condition과.. 더보기
MOSCAP의 문턱전압은?? 이 포스팅은 모바일에 최적화 되어 있습니다. 1. Threshold Condition이란? Threshold를 영어사전에서 찾아보면 '문턱'이라는 뜻을 발견할 수 있을 겁니다. 한글로 그대로 풀어서 설명한다면, 이 상태가 어떤 것으로 가기 바로 전의 상태고, 이 상태만 넘는다면 무언가가 새로운 것이 될 수 있음을 의미합니다. 그렇다면 그 상태라는 어떤 상태를 이야기 하는 것일까요? 그 상태라는 것은 바로 '도체'가 되기 바로 직전의 상태입니다. Free Carrier의 관점에서 말씀을 드리면 Si과 Oxide의 Interface에 있는 Electron의 농도, 즉 표면에서의 Minority Carrier의 농도가 doped된 Acceptor의 농도와 동일해지는 시점입니다. 이를 수식으로 표현하면 "ns(.. 더보기
MOS CAP의 표면축적이란? 이 포스팅은 PC에 최적화 되어 있습니다. 1.Surface Accumulation이란 무엇인가? Surface accumulation이라는 단어를 단순히 해석만 해보면 "표면 축적"이라고 이해할 수 있습니다. "어떠한 것"이 표면에 축적이 된다는 이야기지요. 그렇다면 뭐가 표면에 축적된다는 이야기일까요? 그것은 바로 Oxide와 P-Substrate사이의 interface, 즉 Surface에 축적되는 Majority Carrier를 이야기합니다. 그렇다면 얼마나 모이길래 '축적'된다고 할까요? Substrate에 doping된 Acceptor의 농도보다 Surface에 훨씬 더 높은 농도의 Majority Carrier Concentration이 생기게 됩니다. 간단히 예를 들어, Substrate에.. 더보기
MOS CAPACITOR의 Flat Band를 알아봐요. 이 포스팅은 블로그에 최적화 되어 있습니다. 상기 이미지는 MOS Capacitor의 Junction이 이루어졌을 때, 외부적인 힘(Voltage, Temperature, Photon, etc...)이 전혀 인가되지 않은 Equilibrium Energy Band Diagram입니다. 모든 일에는 기준이 필요하며 MOS Capacitor 역시 명확한 기준이 필요합니다. 그래서 우리는 'Flat Band'라는 기준을 도입합니다. Flat Band 상태에서 전압을 가해주게 되면, 전압이 가지는 부호에 따라 Energy Band는 여러 방향으로 변화가 되는데 이런 여러가지 변화의 기준이 되는 Energy Band Diagram을 "Flat Band Energy Diagram" 이라고 합니다. Flat Band.. 더보기
MOS CAP의 평형상태는? 이번 포스팅에서 다룰 주제는 MOS Capacitor의 Energy Band Diagram입니다. MOS Capcitor의 구조는 MOS Capacitor에서 1번째 게시물을 참고해주세요. 우선, 아직 Junction이 이루어지지 않은 Metal / Oxide / Semi-Conductor의 Band Diagram을 각각 그려봅시다. 좌측에 보이는 것은 Heavy doping된 N+ Poly Si Gate입니다. Heavy doping 되었기 때문에 Metal과 거의 같다고 보시면 되고, Carrier가 많아서 Fermi Level(노란색, Ef)이 Conduction Band(검정색, Ec)와 일치합니다. 가운데에 보이는 Energy Band Diagram은 SiO2에 대한 Energy Band Dia.. 더보기
MOS CAP의 구조에 대해서 알아보시죠. MOS CAP은 MOSFET을 공부하기 전에 반드시 먼저 학습을 해야 하는 영역입니다. 왜냐하면, MOS CAP에 Source, Drain만을 추가한 것이 MOSFET이 되기 때문이죠. (물론, Source/Drain과 Substrate는 PN Junction을 이루기 때문에 MOSFET 공부를 위해서는 PN Junction도 선행이 되어야 합니다.) PN Junction은 이미 공부가 끝났다는 가정하에 기본적인 MOS Capacitor부터 공부해봅시다. MOS Capacitor의 구조는 다음과 같습니다. 제일 위에 있는 Gate는 전자 회로 시간에 여러분이 죽어라 배우던 그 Gate와 동일합니다. 일반적으로 Gate로 사용되는 물질은 Metal 또는 heavy doping된 Poly-Si을 사용합니다... 더보기
GaN HEMT의 분극에 대해서 함께 알아봐요 현재 대중적으로 사용되고 있는 Si의 결정구조는 Diamond 구조를 가집니다. 하지만 여기서 다룰 GaN의 결정구조는 Diamond 구조가 아니라 wurtzite 구조를 가집니다. wurtzite 구조에 관한 설명입니다. (http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=2304488&cid=42419&categoryId=42419) 이런 구조로 원소가 결합하기 때문에 GaN는 결합할 때 부터 자발적으로 분극을 가지게 됩니다. 이를 Spontaneous Polarization이라고 합니다. 도식화한 그림을 보면 다음과 같습니다. 각각이 (+),(-)극을 가지는데 점으로 찍힌 부분의 Ga과 N의 결합들은 서로의 Charge를 상쇄해주게 됩니다. 주황색으로 빗금친 부분이 상쇄되었다는 .. 더보기
BJT에서 B가 줄어든다면? 이번 포스팅에서는 Base-width modulation에 대해서 포스팅 하려고 합니다. base-width modulation은 말 그대로, 베이스의 폭이 콜렉터 전류에 의해서 변화한다는 이야기입니다. 전자회로 시간에 우리는 BJT의 early effect를 배웠습니다. early effect라는 것이 우리가 이번 시간에 다루는 base-width modulation과 동일합니다. 과정은 이와 같습니다. VCE가 증가하게 되면 , 리버스 바이어스가 증가합니다. 리버스 바이어스 증가하면 디플리션 영역이 증가하게 됩니다.디플리션 영역은 베이스와 콜렉터 영역으로 각각 증가하게 됩니다. 베이스 영역으로 디플리션이 점점 증가하게 되면서, 베이스 영역의 폭은 작아집니다. 앞의 포스팅에서 볼 수 있듯이, 베이스 영.. 더보기
BJT의 Bf Fall-Off와 Low Lc를 극복하는 방법 알아봐요. 이번 포스팅은 검멜 플롯과 콜렉터 전류가 높거나 낮을 때 전류이득 베타(B)가 떨어지는 것에 대한 것입니다.우선 검멜 플롯의 전체적인 그림은 다름과 같습니다. 파란색 곡선은 콜렉터 전류를 표기한 것이며, 빨간색 곡선은 베이스 전류를 표기한 것입니다. 그리고 이 그래프의 y축은 로그 스케일이기 때문에, logIC - logIB를 하게 된다면 전류이득인 베타(B)가 나오게 됩니다. 잘 모르겠으면 IC와 IB를 각각 로그를 취한 식을 빼서 한번 확인해보세요. 그러면 이것이 왜 베타(B)라고 하는지 알 수 있으실겁니다. 또한, 로그를 취하게 되면 Vbe에 대한 선형적인 함수가 되며 두 곡선의 기울기는 q/KT가 됩니다. 다만, 스케일 전류(Is)의 값은 다릅니다. 따라서, '검멜 플롯에서 기울기는 동일하지만 전.. 더보기

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